PSM创建和PSM核查
Alt-PSM技术更严格地控制芯片性能并提高良品率
产品概述
亚波长间隙是指IC特征尺寸与特征制图用光波长之间的间隙，此间隙最初在0.18微米制程节点出现，并在0.13μ处拓宽，使先进的掩膜综合工艺成为必要。在0.13μ及以下尺寸，光学畸变以及其它光蚀刻效应导致较大的特征发生变形，使较小的特征融合消失。这种变动可能明显降低性能或导致良品率损失。Synopsys Mask Synthesis产品组合成为这一问题的解决方案。掩膜综合包括了分辨率增强工艺（RFT）的运用，例如光学临近效应修正（OPC）以及相移掩膜（PSM），并能够制版出比光波长小得多的特征。
PSM创建的特色
- 完整的经生产验证的PSM解决方案，能够快速对较小尺寸的门电路和其它结构进行制版，并最大程度地减少变动
- 通过先进的版图设计层次处理以及分布式处理实现快速的Alt-PSM设计转换
- 通过持续满足转换器的最低要求，不会因完成相染色而导致光蚀刻结果质量（QoR）的下降
- 在必要时，通过调整优选的转换器几何图形，自动解决染色冲突
- MRC和注重光蚀刻效果的布局，确保掩膜可制造性
- 集成相移设计规则的核查和纠正
- 可编程程度高的体系架构，能够针对制造和曝光间校准误差，实现对用户特定设计规则的定义
- 可通过保存现有转换器（例如，存储器核心）支持设计复用